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BJT
MOSFET
IGBT
Detalles de: 2N1410A BJT
Información
Material: Silicio
Polaridad NPN
h
fe
: 30
Capacitancia: 24.00 pF
Encapsulado: TO5
Valores máximos
P
max
: 0.80 W
V
CB
: N/D V
V
CE
: V
V
EB
: N/D V
I
C
: 0.50 A
T
max
: N/D ºC
f
t
: 120.00 Mhz
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