Detalles de: 2N6660JAN MOSFET |
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InformaciónTipo: MOSFET Polaridad N Conductancia CD: 50 pF RDSON: 3.0000 Ω Tiempo subida tr: N/D ns Encapsulado: TO39 |
Valores máximosPmax: 6.25 W VGS: 30.00 V VDS: 60.00 V IDC: 2.00 A (DC) Tmax: 150.00 ºC |
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