Detalles de: 2N122 BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad NPN hfe: 20 Capacitancia: N/D pF Encapsulado: MS7 |
Valores máximosPmax: 3.50 W VCB: N/D V VCE: V VEB: N/D V IC: 0.14 A Tmax: 175 ºC ft: 0.10 Mhz |
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