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BJT
MOSFET
IGBT
Detalles de: 2N1142 BJT
Información
Material: Germanio
Polaridad PNP
h
fe
: 10
Capacitancia: 3.00 pF
Encapsulado: TO5
Valores máximos
P
max
: 0.30 W
V
CB
: N/D V
V
CE
: V
V
EB
: N/D V
I
C
: 0.10 A
T
max
: 100 ºC
f
t
: 300.00 Mhz
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