Detalles de: 2N1132A BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad PNP hfe: 30 Capacitancia: 30.00 pF Encapsulado: TO5 |
Valores máximosPmax: 0.60 W VCB: 70.00 V VCE: 45.00 V VEB: N/D V IC: 0.60 A Tmax: 175 ºC ft: 60.00 Mhz |
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