INFO-TRANSISTOR.INFO



  • Seccións
    Artigos
    Esquemas
  • Listaxes
    Listaxe de transistores BJT
    Listaxe de transistores MOSFET
    Listaxe de transistores IGBT
  • Biblioteca
  • Cambiar a Español Change to English Cambiar a Galego
  • Buscar:

Detalles de: 2N1130 BJT


              Información


Material: Xermanio
Polaridade PNP
hfe: 50
Capacitancia: 80.00 pF
Encapsulado: TO30




          Valores máximos


Pmax: 0.15 W
VCB: N/D V
VCE: V
VEB: N/D V
IC: 0.25 A
Tmax: 85 ºC
ft: 0.30 Mhz
     Buscar substitución igual           Buscar substitución similar

Exportar


BBCODE

HTML



Facebook
Twitter@infotransistor

AxúdanosRecompensasPatrocinadorServizosContacto

Copyright © FailSafe 2013