INFO-TRANSISTOR.INFO
Seccións
Artigos
Esquemas
Listaxes
Listaxe de transistores BJT
Listaxe de transistores MOSFET
Listaxe de transistores IGBT
Biblioteca
Buscar:
BJT
MOSFET
IGBT
Detalles de: 2N1130 BJT
Información
Material: Xermanio
Polaridade PNP
h
fe
: 50
Capacitancia: 80.00 pF
Encapsulado: TO30
Valores máximos
P
max
: 0.15 W
V
CB
: N/D V
V
CE
: V
V
EB
: N/D V
I
C
: 0.25 A
T
max
: 85 ºC
f
t
: 0.30 Mhz
Buscar substitución igual
Buscar substitución similar
Exportar
BBCODE
HTML
[url=http://www.info-transistor.info/index.php?sec=ver&id=490&tipo=1][img]http://www.info-transistor.info/imagen.php?id=490&tipo=1&lang=ga[/img][/url]
<a href="http://www.info-transistor.info/index.php?sec=ver&id=490&tipo=1"><img src="http://www.info-transistor.info/imagen.php?id=490&tipo=1&lang=ga"></a>
@infotransistor
Axúdanos
Recompensas
Patrocinador
Servizos
Contacto