Detalles de: 2N1130 BJT |
|
InformaciónMaterial: Xermanio Polaridade PNP hfe: 50 Capacitancia: 80.00 pF Encapsulado: TO30 |
Valores máximosPmax: 0.15 W VCB: N/D V VCE: V VEB: N/D V IC: 0.25 A Tmax: 85 ºC ft: 0.30 Mhz |
Exportar
| BBCODE HTML |
|
|---|---|
@infotransistor