Detalles de: 2N1119 BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad PNP hfe: 18 Capacitancia: 12.00 pF Encapsulado: TO5 |
Valores máximosPmax: 0.15 W VCB: 10.00 V VCE: 10.00 V VEB: N/D V IC: 0.05 A Tmax: 140 ºC ft: 20.00 Mhz |
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