Detalles de: 2N1116 BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad NPN hfe: 40 Capacitancia: 120.00 pF Encapsulado: TO5 |
Valores máximosPmax: 5.00 W VCB: 60.00 V VCE: 60.00 V VEB: N/D V IC: 0.80 A Tmax: 200 ºC ft: 4.00 Mhz |
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