Detalles de: 2SJ115 MOSFET |
|
InformaciónTipo: MOSFET Polaridad P Conductancia CD: 500 pF RDSON: N/D Ω Tiempo subida tr: N/D ns Encapsulado: 2-16C1H |
Valores máximosPmax: 100.00 W VGS: 20.00 V VDS: 160.00 V IDC: 8.00 A (DC) Tmax: 150.00 ºC |
Exportar
| BBCODE HTML |
|
|---|---|
@infotransistor