Detalles de: HGTD10N50F1S9A IGBT |
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InformaciónPolaridad N-Channel Capacitancia: N/D pF Tiempo subida tr: 45.00 ns Encapsulado: TO252AA |
Valores máximosPC max: 75.00 W VCE max: 500.00 V VCE (SAT): 2.50 V VEG: 20.00 V IC: 12.00 A (DC) Tmax: 150 ºC |
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