Detalles de: 2N1060 BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad NPN hfe: 17 Capacitancia: N/D pF Encapsulado: TO28 |
Valores máximosPmax: 0.25 W VCB: 40.00 V VCE: 40.00 V VEB: N/D V IC: 0.05 A Tmax: 150 ºC ft: 100.00 Mhz |
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