Detalles de: HGT1S12N60C3DS IGBT |
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InformaciónPolaridad N-Channel Capacitancia: N/D pF Tiempo subida tr: 28.00 ns Encapsulado: TO263AB |
Valores máximosPC max: 104.00 W VCE max: 600.00 V VCE (SAT): 1.65 V VEG: 20.00 V IC: 24.00 A (DC) Tmax: 150 ºC |
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