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BJT
MOSFET
IGBT
Detalles de: 2N1020 BJT
Información
Material: Silicio
Polaridad NPN
h
fe
: 15000
Capacitancia: N/D pF
Encapsulado: TO3
Valores máximos
P
max
: 10.00 W
V
CB
: N/D V
V
CE
: V
V
EB
: N/D V
I
C
: 3.00 A
T
max
: 90 ºC
f
t
: 0.05 Mhz
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