Detalles de: 2N6786 MOSFET |
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InformaciónTipo: MOSFET Polaridad N Conductancia CD: 200 pF RDSON: 3.6000 Ω Tiempo subida tr: N/D ns Encapsulado: TO205AF |
Valores máximosPmax: 15.00 W VGS: N/D V VDS: 400.00 V IDC: 1.20 A (DC) Tmax: 150.00 ºC |
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