Detalles de: 193DT2 BJT |
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InformaciónMaterial: Silicio Polaridad NPN hfe: 40 Capacitancia: N/D pF Encapsulado: TO3 |
Valores máximosPmax: 85.00 W VCB: N/D V VCE: V VEB: N/D V IC: 10.00 A Tmax: 150 ºC ft: 5.00 Mhz |
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